1作品介绍
相比Si材料，氮化镓（GaN）具有更高的耐压能力和电子饱和漂移速度，基于GaN的功率器件具有更小体积、更高转换效率和更低功耗，是替代传统硅器件的首选材料。以GaNHEMT器件为代表的功率器件可以缩小芯片体积（试读）...
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